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Vertaling van "semiconduttori a metallo ossido complementari " (Italiaans → Nederlands) :

TERMINOLOGIE

semiconduttori a metallo ossido complementari | semiconduttori a ossido metallico complementari

http://iate.europa.eu/FindTerm (...) (...) [HTML] [2017-12-31]

complementaire metaal-oxide halfgeleider

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IN-CONTEXT TRANSLATIONS

[12] I semiconduttori a ossido metallico complementari (CMOS) sono la tecnologia standard per i circuiti integrati nel percorso “more Moore”.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2012-12-31]

[12] CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) is de standaardtechnologie voor geïntegreerde schakelingen bij het "meer Moore"-spoor.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2012-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2012-12-31]

I prodotti oggetto del riesame sono alcuni circuiti elettronici integrati noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories — memorie dinamiche ad accesso casuale), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni tipo, densità, variante, velocità di accesso, configurazione, confezione o supporto, ecc., originari della Repubblica di Corea («il prodotto in esame»).

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

Het onderzoek heeft betrekking op de micro-elektronische schakelingen, DRAM's genaamd, vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle soorten, dichtheden en varianten, ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de Republiek Korea.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) [HTML] [2005-12-31]

Il prodotto oggetto dell’inchiesta e il prodotto simile sono gli stessi dell’inchiesta iniziale, ovvero alcuni microcircuiti elettronici noti come DRAM (Dynamic Random Access Memories — memorie dinamiche ad accesso casuale), di ogni tipo, densità e variante, assemblati, montati su wafer o sotto forma di chip (dies), costruiti utilizzando tipi diversi di semiconduttori metallo-ossidi (MOS), compresi tipi di MOS complementari (CMOS), di ogni densità (comprese le densità future), indipendentemente dalla velocità di accesso, dalla configu ...[+++]

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

De herbeoordeling heeft betrekking op hetzelfde product als het oorspronkelijke onderzoek, namelijk micro-elektronische schakelingen, zogeheten DRAM's (Dynamic Random Access Memories), van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte „wafers” of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider-(MOS)-technologie, zoals complementaire MOS-types (CMOS), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame, enz., uit de Republiek Korea.

http://eur-lex.europa.eu/legal (...) (...) [HTML] [2005-12-31]

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Date index: 2023-09-06